Рекомендоване зображення серії модулів InGaAS-APD

Серія модулів InGaAS-APD

Модель: GD6510Y / GD6511Y / GD6512Y

Короткий опис:

Пристрій являє собою лавинний фотодіодний модуль InGaAs з вбудованою схемою попереднього підсилювача, яка може перетворювати слабкі.Після посилення поточного сигналу він перетворюється на вихідний сигнал напруги для реалізації процесу перетворення «оптико-електричного посилення сигналу».

отримати цитату Завантажити

Технічний параметр

ОСОБЛИВОСТІ

ЗАСТОСУВАННЯ

Теги товарів

Фотоелектричні характеристики (＠Ta＝22±3℃)
Модель	GD6510Y	GD6511Y	GD6512Y
Форма упаковки	ТО-8	ТО-8	ТО-8
Діаметр фоточутливої поверхні (мм)	0,2	0,5	0,08
Діапазон спектрального відгуку (нм)	1000~1700	1000~1700	1000~1700
Напруга пробою (В)	30~70	30~70	30~70
Чутливість M=10 l=1550nm(kV/W)	340	340	340
Час наростання (нс)	5	10	2.3
Смуга пропускання (МГц)	70	35	150
Еквівалентна потужність шуму (пВт/√Гц)	0,15	0,21	0,11
Температурний коефіцієнт робочої напруги T=-40 ℃ ~ 85 ℃ (В/℃)	0,12	0,12	0,12
Концентричність (мкм)	≤50	≤50	≤50
Альтернативні моделі однакової продуктивності по всьому світу	C3059-1550-R2A	/	C3059-1550-R08B

Структура чіпа передньої площини

Швидка відповідь

Висока чутливість детектора

Лазерна локація

Лідар

Лазерне попередження