Рекомендоване зображення модулів APD InGaAs

InGaAs APD модулі

Модель: GD6510Y/ GD6511Y/ GD6512Y

Короткий опис:

Це лавинний фотодіодний модуль з арсеніду індію і галію зі схемою попереднього підсилення, який дозволяє підсилювати сигнал слабкого струму та перетворювати його в сигнал напруги для досягнення процесу перетворення посилення фотонного фотоелектричного сигналу.

отримати цитату Завантажити

Технічний параметр

Теги товарів

особливості

Плоский чіп з підсвічуванням на передній стороні
Швидкісний відгук
Висока чутливість детектора

Додатки

Лазерна локація
Лазерний зв'язок
Лазерне попередження

Фотоелектричний параметр（@Ta=22±3℃）

Пункт №	Категорія упаковки	Діаметр світлочутливої поверхні (мм)	Спектральний діапазон відгуку (нм)	Напруга пробою （V）	Чуйність М=10 λ=1550 нм (кВ/Вт)	Час підйому （ns）	Пропускна здатність (МГц)	Температурний коефіцієнт T_a=-40 ℃ ~ 85 ℃ （V/℃）	Еквівалентна потужність шуму (пВт/√Гц)	Концентричність (мкм)	Замінений тип в інших країнах
GD6510Y	ТО-8	0,2	1000 ~ 1700	30～70	340	5	70	0,12	0,15	≤50	C3059-1550-R2A
GD6511Y		0,5				10	35		0,21		−
GD6512Y		0,08				2.3	150		0,11		C3059-1550-R08B