Рекомендоване зображення серії модулів 850nmPIN

Серія модулів 850nmPIN

Модель: GD4213Y / GD4251Y / GD4251Y-A / GD42121Y

Короткий опис:

Пристрій являє собою кремнієвий PIN-фотодіодний модуль із вбудованою схемою попереднього підсилювача, який може підсилювати слабкий сигнал струму та перетворювати його на вихідний сигнал напруги, реалізуючи процес перетворення «підсилення оптичного електричного сигналу».

отримати цитату Завантажити

Технічний параметр

ОСОБЛИВОСТІ

ЗАСТОСУВАННЯ

Теги товарів

Фотоелектричні характеристики (＠Ta＝22±3℃)
Модель		GD4213Y	GD4251Y	GD4251Y-A	GD42121Y
Форма упаковки		ТО-8	ТО-8	ТО-8	ТО-8
Розмір фоточутливої поверхні (мм)		2	2	10×1,5	10×0,95
Робоча напруга (В)		±5±0,3	±6±0,3	±6±0,3	±5±0,1
Напруга шуму (мВ)		12	40	40	25
Чуйність (M/AY)	λ=850 нм, φ=1 мкВт	110	130	130	110
Час наростання (нс)	λ=850 нм, φ=1 мкВт	12	12	18	20
Динамічний діапазон (дБ) λ=850 нм		20	20	20	20
Зауваження		Світлове вікно покрите несучою стрічковою фільтруючою плівкою (нахил 0 градусів, коефіцієнт пропускання 830 нм ~ 910 нм ≥ 90%), тестове навантаження GD4213Y становить 50 Ом, а тестове навантаження інших продуктів становить 1 МОм.