Чотирьохквадрантна серія PIN з однією трубкою. Представлене зображення

Однотрубна серія PIN із чотирма квадрантами

Модель: GT111 / GT112 / GD3250Y / GD3249Y / GD3244Y / GD3245Y / GD32413Y / GD32414Y / GD32415Y

Короткий опис:

Пристрій складається з чотирьох кремнієвих PIN-фотодіодів з однаковим блоком, які працюють в умовах зворотного зміщення, спектральна характеристика коливається від видимого світла до ближнього інфрачервоного діапазону, максимальна довжина хвилі відгуку становить 980 нм, а відповідь на 1064 нм може досягати до 0,5 A /W.

отримати цитату Завантажити

Технічний параметр

ОСОБЛИВОСТІ

ЗАСТОСУВАННЯ

Теги товарів

Фотоелектричні характеристики (＠Ta＝22±3℃)
Модель	GT111	GT112	GD3250Y	GD3249Y	GD3244Y	GD3245Y	GD32413Y	GD32414Y	GD32415Y
Форма упаковки	ТО-8	ТО-8	ТО-8	ТО-20	ТО-31-7	ТО-31-7	MBCY026-P6	ТО-8	MBCY026-W7W
Розмір фоточутливої поверхні (мм)	Φ4	Φ6	Φ8	Φ10	Φ10	Φ16	Φ14	Φ5.3	Φ11.3
Діапазон спектрального відгуку (нм)	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1150	400~1150
Пікова довжина хвилі відгуку (нм)	980	980	980	980	980	980	980	980	980
Чутливість λ=1064 нм (A/W)	0,3	0,3	0,3	0,3	0,4	0,4	0,4	0,5	0,5
Темновий струм (нА)	5 (В_R=40 В)	7 (В_R=40 В)	10 (V_R=40 В)	15 (V_R=40 В)	20 (V_R=135 В)	50 (V_R=135 В)	40 (V_R=135 В)	4,8 (В_R=140 В)	≤20(В_R=180 В)
Час наростання In = 1064 нм RL = 50 Ом (нс)	15 (V_R=40 В)	20 (V_R=40 В)	25 (V_R=40 В)	30 (V_R=40 В)	20 (V_R=135 В)	30 (V_R=135 В)	25 (V_R=135 В)	15 (V_R=140 В)	20 (V_R=180 В)
Ємність переходу f=1MHz(pF)	5 (В_R=10 В)	7 (В_R=10 В)	10 (V_R=10 В)	15 (V_R=10 В)	10 (V_R=135 В)	10 (V_R=135 В)	16 (V_R=135 В)	4.2 (В_R=140 В)	10 (V_R=180 В)
Напруга пробою (В)	100	100	100	100	300	300	300	≥300	≥250

Низький темновий струм

Висока чуйність

Хороша квадрантна консистенція

Мала сліпа пляма

Лазерний пристрій наведення, супроводу та дослідження

Лазерне мікропозиціонування, моніторинг переміщення та інші системи прецизійного вимірювання