Фабрика ПРОДУКЦІЇ, Постачальники - Китай Виробники ПРОДУКЦІЇ

InGaAs APD модулі

Це лавинний фотодіодний модуль з арсеніду індію і галію зі схемою попереднього підсилення, який дозволяє підсилювати сигнал слабкого струму та перетворювати його в сигнал напруги для досягнення процесу перетворення посилення фотонного фотоелектричного сигналу.

ЗАПИТ деталь
Чотирьохквадрантний APD

Він складається з чотирьох однакових блоків кремнієвого лавинного фотодіода, який забезпечує високу чутливість від УФ до ближнього інфрачервоного випромінювання.Максимальна довжина хвилі відгуку становить 980 нм.Чутливість: 40 А/Вт при 1064 нм.

ЗАПИТ деталь
Чотирьохквадрантні модулі APD

Він складається з чотирьох однакових блоків кремнієвого лавинного фотодіода зі схемою попереднього підсилення, яка дозволяє підсилювати сигнал слабкого струму та перетворювати його в сигнал напруги для досягнення процесу перетворення посилення фотонного фотоелектричного сигналу.

ЗАПИТ деталь
850nm Si PIN модулі

Це 850-нм кремнієвий PIN-фотодіодний модуль із схемою попереднього підсилення, який дозволяє підсилювати сигнал слабкого струму та перетворювати його на сигнал напруги для досягнення процесу перетворення посилення фотонного фотоелектричного сигналу.

ЗАПИТ деталь
900 нм Si PIN фотодіод

Це Si PIN-фотодіод, який працює під зворотним зміщенням і забезпечує високу чутливість від УФ до ближнього інфрачервоного випромінювання.Максимальна довжина хвилі відгуку становить 930 нм.

ЗАПИТ деталь
1064 нм Si PIN фотодіод

Це Si PIN-фотодіод, який працює під зворотним зміщенням і забезпечує високу чутливість від УФ до ближнього інфрачервоного випромінювання.Максимальна довжина хвилі відгуку становить 980 нм.Чутливість: 0,3 А/Вт при 1064 нм.

ЗАПИТ деталь
Fiber Si PIN модулі

Оптичний сигнал перетворюється в сигнал струму шляхом введення оптичного волокна.Модуль Si PIN має схему попереднього підсилення, яка дозволяє підсилювати сигнал слабкого струму та перетворювати його на сигнал напруги для досягнення процесу перетворення посилення фотонного фотоелектричного сигналу.

ЗАПИТ деталь
Чотирьохквадрантний Si PIN

Він складається з чотирьох однакових блоків Si PIN-фотодіода, який працює в зворотному порядку та забезпечує високу чутливість у діапазоні від УФ до ближнього інфрачервоного випромінювання.Максимальна довжина хвилі відгуку становить 980 нм.Чутливість: 0,5 А/Вт при 1064 нм.

ЗАПИТ деталь
Чотирьохквадрантні модулі Si PIN

Він складається з окремих або подвоєних чотирьох однакових блоків Si PIN-фотодіода зі схемою попереднього підсилення, яка дозволяє підсилювати сигнал слабкого струму та перетворювати його в сигнал напруги для досягнення процесу перетворення посилення фотонного фотоелектричного сигналу.

ЗАПИТ деталь
УФ-підсилення Si PIN

Це кремнієвий PIN-фотодіод із покращеним ультрафіолетовим випромінюванням, який працює в зворотному режимі та забезпечує високу чутливість від УФ до ближнього інфрачервоного випромінювання.Максимальна довжина хвилі відгуку становить 800 нм.Чутливість: 0,15 А/Вт при 340 нм.

ЗАПИТ деталь
1064 нм YAG лазер -15mJ-5

Це лазер Nd:YAG з пасивною модуляцією добротності з довжиною хвилі 1064 нм, піковою потужністю ≥15 мДж, частотою повторення імпульсів 1–5 Гц (регульованою) і кутом розбіжності ≤8 мрад.Крім того, це невеликий і легкий лазер, здатний досягти високої вихідної енергії, що може бути ідеальним джерелом світла для дальності для деяких сценаріїв, які мають жорсткі вимоги до об’єму та ваги, наприклад, у деяких сценаріях застосовуються індивідуальні бою та БПЛА.

ЗАПИТ деталь
1064 нм YAG лазер-15mJ-20

Це лазер Nd:YAG з пасивною модуляцією добротності з довжиною хвилі 1064 нм, піковою потужністю ≥15 мДж і кутом розбіжності ≤8 мрад.Крім того, це маленький і легкий лазер, який може бути ідеальним джерелом світла на великій відстані з високою частотою (20 Гц).

ЗАПИТ деталь